据证监会发布，近日，证监会按法定程序同意杭州立昂微电子股份有限公司（以下简称“立昂微”）的首发申请，立昂微及其承销商将与上海证券交易所协商确定发行日程，并陆续刊登招股文件。
据悉，立昂微成立于2002年3月19日，是一家专注于半导体材料、半导体芯片及相关产品的研发及制造领域的高新技术企业。
据悉，立昂微在创办之初即引进美国安森美公司具有国际先进水平的全套肖特基芯片工艺技术、生产设备及质量管理体系，建立了6英寸半导体生产线，经过多年发展，立昂微已拥有完整的肖特基二极管芯片生产线，产品广泛应用于各类电源管理领域。
2013年，立昂微成功引进日本三洋半导体5英寸MOSFET芯片生产线及工艺。
2015年，立昂微成功全资收购同一实控人控制下的公司浙江金瑞泓后，公司的主营业务延伸至上游的半导体硅片的研发、生产和销售。
据披露，浙江金瑞泓是国内半导体硅片制造巨头之一，2004年，其6英寸半导体硅抛光片和硅外延片开始批量生产并销售；2009年，其8英寸半导体硅外延片开始批量生产并销售。
此外，通过承担十一五国家02专项，浙江金瑞泓具备了全系列8英寸硅单晶锭、硅抛光片和硅外延片大批量生产制造的能力，并开发了12英寸单晶生长核心技术，以及硅片倒角、磨片、抛光、外延等一系列关键技术，且于2017年5月通过国家02专项正式验收。
立昂微半导体硅片产品广泛应用于集成电路、分立器件等领域，客户主要包括ONSEMI、台湾汉磊等国际公司以及华润上华、上海先进、华润微电子、士兰微等国内知名企业。
业绩方面，2016-2018年，立昂微电营业收入分别为6.7亿元、9.32亿元、12.23亿元，较上年增长率分别为13.33%、39.08%和31.18%，2018年营收增长有所放缓。净利润分别为0.66亿元、10.8亿元和2.09亿元，保持了稳步增长态势。整体看来，立昂微电的业绩增长比较快速。
募资17亿元，投8英寸硅片以及射频芯片项目
招股书披露，立昂微本次公开发行新股不超过4,058万股，占发行后总股本的比例不低于10.00%，不超过10.131%。立昂微本次募投项目总投资171189万元，拟使用募集资金投入不超过135,000万元，用于投资建设年产120万片集成电路用8英寸硅片项目（以下简称“8英寸硅片项目”）和年产12万片6英寸第二代半导体射频集成电路芯片项目（以下简称“射频芯片项目”）。
据披露，8英寸硅片项目建设期24个月，项目达产后，预计年新增销售收入48,000万元，年新增税后利润9125万元，项目税后的内部收益率为14.68%，静态投资回收期（含建设期）所得税后为7.42年。
射频芯片项目建设期60个月，项目达产后，预计年新增销售收入100,800万元，年新增税后利润16,617万元，项目税后的内部收益率为16.55%，静态投资回收期（含建设期）所得税后为7.59年。
立昂微表示，2017年以来半导体硅片市场景气度较高，产品供不应求，8英寸硅片项目有利于公司半导体硅片的产能瓶颈，并且实现良好的收益回报，符合公司的整体发展规划。
其次，砷化镓是继硅单晶之后第二代新型化合物半导体材料中最重要、用途最广泛的材料之一，且主要产能均由国外少数厂商垄断。通过射频芯片项目，实现6英寸GaAs RFIC芯片量产，有利于公司抢占市场先机，同时进一步丰富和完善产品结构，提升市场竞争力。
除了投募项目，立昂微还披露了未来三年的经营目标。在硅片方面，立昂微在扩产8英寸半导体硅片产量的同时，加快实现12英寸半导体硅片的产业化。目前，立昂微12英寸硅片产业化项目的实施主体金瑞泓微电子已完成设立，将负责实施建设公司年产180万片集成电路用12英寸硅片项目，其中第一期的建设目标为年产60万片集成电路用12英寸硅片，第二期的建设目标为年产120万片集成电路用12英寸硅片。
在砷化镓材料方面，未来三年内，立昂微将抓住市场先机，加快实施砷化镓微波射频集成电路芯片项目，实现6英寸GaAs RFIC芯片的量产。立昂微的子公司立昂东芯正在投资建设年产12万片6英寸第二代半导体射频集成电路芯片项目，其中第一期将建设年产6万片6英寸砷化镓芯片生产线，第二期建设年产6万片6英寸砷化镓芯片生产线。
截至目前，立昂微在该项目上已累计投入超过1.9亿元，现已进入客户样品认证测试、量产前的准备阶段，部分产品已通过客户认证并有小批量订单。
值得一提的是，本次发行前，立昂微控股股东、实际控制人王敏文直接持有公司股权比例为22.12%，通过泓祥投资和泓万投资控制的公司股权比例为9.80%，合计控制公司31.92%。
立昂微指出，本次发行完成后，实际控制人王敏文合计控制公司股权的比例将进一步下降，在一定程度上可能会降低股东大会对于重大事项决策的效率，从而给发行人生产经营和未来发展带来潜在风险。
据悉，立昂微成立于2002年3月19日，是一家专注于半导体材料、半导体芯片及相关产品的研发及制造领域的高新技术企业。
据悉，立昂微在创办之初即引进美国安森美公司具有国际先进水平的全套肖特基芯片工艺技术、生产设备及质量管理体系，建立了6英寸半导体生产线，经过多年发展，立昂微已拥有完整的肖特基二极管芯片生产线，产品广泛应用于各类电源管理领域。
2013年，立昂微成功引进日本三洋半导体5英寸MOSFET芯片生产线及工艺。
2015年，立昂微成功全资收购同一实控人控制下的公司浙江金瑞泓后，公司的主营业务延伸至上游的半导体硅片的研发、生产和销售。
据披露，浙江金瑞泓是国内半导体硅片制造巨头之一，2004年，其6英寸半导体硅抛光片和硅外延片开始批量生产并销售；2009年，其8英寸半导体硅外延片开始批量生产并销售。
此外，通过承担十一五国家02专项，浙江金瑞泓具备了全系列8英寸硅单晶锭、硅抛光片和硅外延片大批量生产制造的能力，并开发了12英寸单晶生长核心技术，以及硅片倒角、磨片、抛光、外延等一系列关键技术，且于2017年5月通过国家02专项正式验收。
立昂微半导体硅片产品广泛应用于集成电路、分立器件等领域，客户主要包括ONSEMI、台湾汉磊等国际公司以及华润上华、上海先进、华润微电子、士兰微等国内知名企业。
业绩方面，2016-2018年，立昂微电营业收入分别为6.7亿元、9.32亿元、12.23亿元，较上年增长率分别为13.33%、39.08%和31.18%，2018年营收增长有所放缓。净利润分别为0.66亿元、10.8亿元和2.09亿元，保持了稳步增长态势。整体看来，立昂微电的业绩增长比较快速。
募资17亿元，投8英寸硅片以及射频芯片项目
招股书披露，立昂微本次公开发行新股不超过4,058万股，占发行后总股本的比例不低于10.00%，不超过10.131%。立昂微本次募投项目总投资171189万元，拟使用募集资金投入不超过135,000万元，用于投资建设年产120万片集成电路用8英寸硅片项目（以下简称“8英寸硅片项目”）和年产12万片6英寸第二代半导体射频集成电路芯片项目（以下简称“射频芯片项目”）。
据披露，8英寸硅片项目建设期24个月，项目达产后，预计年新增销售收入48,000万元，年新增税后利润9125万元，项目税后的内部收益率为14.68%，静态投资回收期（含建设期）所得税后为7.42年。
射频芯片项目建设期60个月，项目达产后，预计年新增销售收入100,800万元，年新增税后利润16,617万元，项目税后的内部收益率为16.55%，静态投资回收期（含建设期）所得税后为7.59年。
立昂微表示，2017年以来半导体硅片市场景气度较高，产品供不应求，8英寸硅片项目有利于公司半导体硅片的产能瓶颈，并且实现良好的收益回报，符合公司的整体发展规划。
其次，砷化镓是继硅单晶之后第二代新型化合物半导体材料中最重要、用途最广泛的材料之一，且主要产能均由国外少数厂商垄断。通过射频芯片项目，实现6英寸GaAs RFIC芯片量产，有利于公司抢占市场先机，同时进一步丰富和完善产品结构，提升市场竞争力。
除了投募项目，立昂微还披露了未来三年的经营目标。在硅片方面，立昂微在扩产8英寸半导体硅片产量的同时，加快实现12英寸半导体硅片的产业化。目前，立昂微12英寸硅片产业化项目的实施主体金瑞泓微电子已完成设立，将负责实施建设公司年产180万片集成电路用12英寸硅片项目，其中第一期的建设目标为年产60万片集成电路用12英寸硅片，第二期的建设目标为年产120万片集成电路用12英寸硅片。
在砷化镓材料方面，未来三年内，立昂微将抓住市场先机，加快实施砷化镓微波射频集成电路芯片项目，实现6英寸GaAs RFIC芯片的量产。立昂微的子公司立昂东芯正在投资建设年产12万片6英寸第二代半导体射频集成电路芯片项目，其中第一期将建设年产6万片6英寸砷化镓芯片生产线，第二期建设年产6万片6英寸砷化镓芯片生产线。
截至目前，立昂微在该项目上已累计投入超过1.9亿元，现已进入客户样品认证测试、量产前的准备阶段，部分产品已通过客户认证并有小批量订单。
值得一提的是，本次发行前，立昂微控股股东、实际控制人王敏文直接持有公司股权比例为22.12%，通过泓祥投资和泓万投资控制的公司股权比例为9.80%，合计控制公司31.92%。
立昂微指出，本次发行完成后，实际控制人王敏文合计控制公司股权的比例将进一步下降，在一定程度上可能会降低股东大会对于重大事项决策的效率，从而给发行人生产经营和未来发展带来潜在风险。
