IT之家5月23日消息 Intel在日前宣布与美光联合生产并发布业界首款3D QLC（4 bits / Cell）NAND技术，利用久经考验的64层结构，新的4 bits / Cell 3D NAND技术每个晶片的密度达到1Tb，大有取代机械硬盘之势。
英特尔非挥发性记录体技术开发副总裁RV Giridhar表示：「1Tb 4位/单元NAND的商业化是NVM历史上的一个重要里程碑，并且通过大量的技术和设计创新使我们的浮栅3D NAND技术的性能得到进一步提升，迁移到4bits / cell可为数据中心和客户端储存的密度和成本带到另一个的新操作点。“
Intel及美光曾表示第三代3D NAND技术的开发将于2018年年底或2019年初交付，两家公司已经同意在这一技术节点之后，双方将独立开发3D NAND，以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品，预计Intel及Mircon 96层3D NAND将可在2019下半年实现量产。
众所周知，固态硬盘相比机械硬盘，无论在速度、功耗还是噪音控制方面都有不小的优势，相信在大容量廉价固态推出后，机械硬盘将会在普通消费领域逐渐消失。
英特尔非挥发性记录体技术开发副总裁RV Giridhar表示：「1Tb 4位/单元NAND的商业化是NVM历史上的一个重要里程碑，并且通过大量的技术和设计创新使我们的浮栅3D NAND技术的性能得到进一步提升，迁移到4bits / cell可为数据中心和客户端储存的密度和成本带到另一个的新操作点。“
Intel及美光曾表示第三代3D NAND技术的开发将于2018年年底或2019年初交付，两家公司已经同意在这一技术节点之后，双方将独立开发3D NAND，以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品，预计Intel及Mircon 96层3D NAND将可在2019下半年实现量产。
众所周知，固态硬盘相比机械硬盘，无论在速度、功耗还是噪音控制方面都有不小的优势，相信在大容量廉价固态推出后，机械硬盘将会在普通消费领域逐渐消失。
