法国扩建300mm晶圆厂用于PCM，ReRAM，量子计算芯片
研究机构CEA-Leti（法国格勒诺布尔）宣布计划扩展其直径为300mm晶圆的生产线，以制造相变存储器、光子IC、3D打印、功率器件和量子计算电路。
CEA-Leti表示这种扩展是有可能完成的，因为 Auvergne Rhone Alpes地区资助购买193纳米浸没式光刻工具，这是2017 - 2018年投资计划的重要部分。CEA-Leti表示，它也受益于法国政府对2018-2019第二阶段计划的财政支持。资金的数额没有披露。
CAE-Leti正在寻求可增加的模块，用于生产大量的非易失性存储器、图像传感器、光子IC、高性能计算和边缘AI技术以及硅晶片键合。
非易失性存储器包括：相变存储器（PCRAM）、OxRAM和CBRAM。CEA-Leti先进的CMOS技术主要针对FDSOI、边缘AI、模拟和射频应用。CEA-Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadière在一份声明中说：“我们的300毫米生产线将帮助Leti继续实施这一战略，解决与新兴技术相关的挑战，例如量子，纳米线和顺序的3D集成。” 。
原文链接： http://www.eenewsanalog.com/news/leti-300mm-fab-extended-pcm-reram-quantum-computing
www.ssdfans.com
研究机构CEA-Leti（法国格勒诺布尔）宣布计划扩展其直径为300mm晶圆的生产线，以制造相变存储器、光子IC、3D打印、功率器件和量子计算电路。
CEA-Leti表示这种扩展是有可能完成的，因为 Auvergne Rhone Alpes地区资助购买193纳米浸没式光刻工具，这是2017 - 2018年投资计划的重要部分。CEA-Leti表示，它也受益于法国政府对2018-2019第二阶段计划的财政支持。资金的数额没有披露。
CAE-Leti正在寻求可增加的模块，用于生产大量的非易失性存储器、图像传感器、光子IC、高性能计算和边缘AI技术以及硅晶片键合。
非易失性存储器包括：相变存储器（PCRAM）、OxRAM和CBRAM。CEA-Leti先进的CMOS技术主要针对FDSOI、边缘AI、模拟和射频应用。CEA-Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadière在一份声明中说：“我们的300毫米生产线将帮助Leti继续实施这一战略，解决与新兴技术相关的挑战，例如量子，纳米线和顺序的3D集成。” 。
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